MT46V128M4BN-6IT

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MT46V128M4BN-6IT
優(yōu)勢
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
聯(lián)系人：吳
電話：18320850923
地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室
9900
MICRON
BGA
21+
-
只做進口原裝，現(xiàn)貨、訂貨

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MT46V128M4BN-6IT 技術(shù)參數(shù)

MT46V128M4BN-6:F TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) MT46V128M4BN-6:F 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) MT46V128M4BN-6:D TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:托盤其它名稱:Q2841869 MT46V128M4BN-6:D 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:托盤其它名稱:Q2841869 MT46V128M4BN-5B:F TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) MT46V128M4FN-75:D TR MT46V128M4FN-75Z:D MT46V128M4FN-75Z:D TR MT46V128M4P-5B:D TR MT46V128M4P-5B:F MT46V128M4P-5B:F TR MT46V128M4P-5B:J MT46V128M4P-5B:J TR MT46V128M4P-6T:D MT46V128M4P-6T:D TR MT46V128M4P-6T:F MT46V128M4P-6T:F TR MT46V128M4P-75:D MT46V128M4P-75:D TR MT46V128M4TG-5B:D TR MT46V128M4TG-5B:F MT46V128M4TG-5B:F TR MT46V128M4TG-6T:D TR