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MT47H128M8JL-37E

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    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

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    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

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MT47H128M8JL-37E 技術(shù)參數(shù)
  • MT47H128M8HQ-3:G TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 60FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ MT47H128M8HQ-3:E TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 60FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI MT47H128M8HQ-3 L:G TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 60FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤 MT47H128M8HQ-3 L:G 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 60FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) MT47H128M8HQ-3 IT:G TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 60FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤 MT47H16M16BG-3:B TR MT47H16M16BG-37E:B TR MT47H16M16BG-37V:B MT47H16M16BG-3E:B MT47H16M16BG-5E:B MT47H16M16BG-5E:B TR MT47H1G4WTR-25E:C MT47H1G4WTR-25E:C TR MT47H256M4B7-37E:A MT47H256M4B7-37E:A TR MT47H256M4B7-5E:A MT47H256M4B7-5E:A TR MT47H256M4BT-3:A MT47H256M4BT-37E:A MT47H256M4BT-5E:A MT47H256M4BT-5E:A TR MT47H256M4CF-25:H MT47H256M4CF-25E:H
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