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MT47H32M16HR3 DDR2-533

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MT47H32M16HR3 DDR2-533 技術(shù)參數(shù)
  • MT47H32M16HR-25E:G TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP DDR2 SDRAM 512MBIT 1.8V 84FBGA - Tape and Reel 制造商:Micron Technology 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R MT47H32M16HR-25E:G 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR MT47H32M16HR-25E L:G TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R MT47H32M16HR-25E L:G 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) MT47H32M16HR-25E IT:G TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR MT47H32M16NF-25E AUT:H MT47H32M16NF-25E AUT:H TR MT47H32M16NF-25E IT:H MT47H32M16NF-25E IT:H TR MT47H32M16NF-25E:H MT47H32M16U67A3WC1 MT47H32M8BP-3:B TR MT47H32M8BP-37E:B TR MT47H32M8BP-37V:B MT47H32M8BP-5E:B MT47H32M8BP-5E:B TR MT47H512M4EB-187E:C MT47H512M4EB-25E:C MT47H512M4EB-25E:C TR MT47H512M4EB-3:C MT47H512M4THN-25E:H MT47H512M4THN-25E:M MT47H512M4THN-25E:M TR
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