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MT47H64M16HR-3AT

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  • 制造商
  • MICRON
  • 制造商全稱
  • Micron Technology
  • 功能描述
  • DDR2 SDRAM
MT47H64M16HR-3AT 技術(shù)參數(shù)
  • MT47H64M16HR-3:H TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 MT47H64M16HR-3:H 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤 MT47H64M16HR-3:G TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 84FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) MT47H64M16HR-3:E TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 84FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI MT47H64M16HR-3 L:H TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS FBGA MT47H64M16NF-25E:M MT47H64M4BP-37E:B MT47H64M4BP-37E:B TR MT47H64M8B6-25:D TR MT47H64M8B6-25E IT:D TR MT47H64M8B6-25E L:D TR MT47H64M8B6-25E:D TR MT47H64M8B6-3 IT:D TR MT47H64M8B6-3:D TR MT47H64M8B6-37E IT:D TR MT47H64M8B6-37E:D TR MT47H64M8B6-5E IT:D TR MT47H64M8B6-5E:D TR MT47H64M8CB-25:B MT47H64M8CB-25:B TR MT47H64M8CB-3:B MT47H64M8CB-3:B TR MT47H64M8CB-37E IT:B
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