MUR3060PTG-ON#

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MUR3060PTG-ON# 技術(shù)參數(shù)

MUR2X100A04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:標(biāo)準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:90ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 400V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準包裝:10 MUR2X100A02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:標(biāo)準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 200V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準包裝:10 MUR2X060A06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:標(biāo)準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 60A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:90ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 600V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準包裝:10 MUR2X060A04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:標(biāo)準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 60A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 400V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準包裝:10 MUR2X060A02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:標(biāo)準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 60A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 200V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準包裝:10 MUR315S R7G MUR315S V6G MUR315S V7G MUR315SHM6G MUR315SHR7G MUR320S M6G MUR320S R7G MUR320S V6G MUR320S V7G MUR320SB M4G MUR320SB R5G MUR320SBHM4G MUR320SBHR5G MUR320SHM6G MUR320SHR7G MUR340S M6G MUR340S R7G MUR340S V6G