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MURD620T4

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  • MURD620T4
    MURD620T4

    MURD620T4

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • 0N

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • MURD620T4G
    MURD620T4G

    MURD620T4G

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座1503

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 1630

  • ON

  • TO252

  • 06+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價(jià)

  • MURD620T4G
    MURD620T4G

    MURD620T4G

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人：柯先生/趙小姐

    電話(huà)：0755-83665813

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門(mén)市部：中航路都會(huì)電子3C002B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 9000

  • ON

  • TO-252

  • 12+

  • -

  • 50K新亞洲2C040

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共16條 
  • 1
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MURD620T4 技術(shù)參數(shù)
  • MUR7020 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 70A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:70A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 70A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:75ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類(lèi)型:底座，接線(xiàn)柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線(xiàn)柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 MUR5010R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)型， 反極性 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:75ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類(lèi)型:底座，接線(xiàn)柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線(xiàn)柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 MUR5010 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:75ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類(lèi)型:底座，接線(xiàn)柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線(xiàn)柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 MUR2X100A04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:90ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25μA @ 400V 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 MUR2X100A02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:75ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25μA @ 200V 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 MURF10060R MURF10L60 C0G MURF1560G MURF1620CT MURF1620CT C0G MURF1620CTG MURF1620CTHC0G MURF1640CT C0G MURF1640CTHC0G MURF1660CT MURF1660CT C0G MURF1660CTG MURF1660CTHC0G MURF20005 MURF20005R MURF20010 MURF20010R MURF20020
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