NAND01GW3A2AN6F

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全稱
STMicroelectronics
功能描述
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

NAND01GW3A2AN6F 技術(shù)參數(shù)

NAND01GW3A2AN6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 NAND01GW3A0AN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND01GR3B2CZA6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20）包裝:托盤 NAND01GR3B2BZA6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ NAH-30-472 功能描述:POWER LINE FILTERS,SINGLE PHASE, 制造商:cosel usa, inc. 系列:NAH 零件狀態(tài):在售濾波器類型:單相配置:單級電壓 - 額定 DC:250V 電壓 - 額定 AC:250V 電壓 - 額定 AC（相對地/相對中性點(diǎn)）:250V 電流:30A 頻率 - 工作:- 應(yīng)用:通用認(rèn)可:cURus，VDE 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:底座安裝端子類型:端接塊電感:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NAND02GR3B2DN6E NAND02GR3B2DZA6E NAND02GW3B2AN6F NAND02GW3B2DN6E NAND02GW3B2DZA6E NAND04GR3B2DN6E NAND04GW3B2DN6E NAND04GW3C2BN6E NAND08GAH0BZA5E NAND08GAH0FZC5E NAND08GAH0JZC5E NAND08GW3C2BN6E NAND08GW3D2AN6E NAND08GW3F2AN6E NAND128W3A0AN6 NAND128W3A0AN6E NAND128W3A0AN6F NAND128W3A0BN6E