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NAND01GW3B2AN6T

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  • 型號
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  • NAND01GW3B2AN6T
    NAND01GW3B2AN6T

    NAND01GW3B2AN6T

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • STM

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  • 07/08+

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  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • NAND01GW3B2AN6T
    NAND01GW3B2AN6T

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • STM

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 07/08+

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  • 功能描述
  • 閃存 NAND & S.MEDIA FLASH
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 數(shù)據(jù)總線寬度
  • 1 bit
  • 存儲類型
  • Flash
  • 存儲容量
  • 2 MB
  • 結(jié)構(gòu)
  • 256 K x 8
  • 定時類型
  • 接口類型
  • SPI
  • 訪問時間
  • 電源電壓-最大
  • 3.6 V
  • 電源電壓-最小
  • 2.3 V
  • 最大工作電流
  • 15 mA
  • 工作溫度
  • - 40 C to + 85 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 封裝
  • Reel
NAND01GW3B2AN6T 技術(shù)參數(shù)
  • NAND01GW3B2AN6F 功能描述:閃存 NAND 1 GB RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND01GW3B2AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 1G (128Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND01GW3A2AN6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 NAND01GW3A0AN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND01GR3B2CZA6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤 NAND02GW3B2AN6F NAND02GW3B2DN6E NAND02GW3B2DZA6E NAND04GR3B2DN6E NAND04GW3B2DN6E NAND04GW3C2BN6E NAND08GAH0BZA5E NAND08GAH0FZC5E NAND08GAH0JZC5E NAND08GW3C2BN6E NAND08GW3D2AN6E NAND08GW3F2AN6E NAND128W3A0AN6 NAND128W3A0AN6E NAND128W3A0AN6F NAND128W3A0BN6E NAND128W3A0BN6F NAND128W3A0BN6F TR
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