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NCV85010

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  • NCV85010
    NCV85010

    NCV85010

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ON

  • SOP16

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • NCV85010
    NCV85010

    NCV85010

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 1440

  • ON

  • SOP16

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品。

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
NCV85010 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
NCV85010 技術(shù)參數(shù)
  • NCV8461DR2G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:40V 1.2A HIGH SIDE DRIV - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:40V, 1.2A, HIGH SIDE DRIV - Cut TR (SOS) 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / 40V 1.2A HIGH SIDE DRIV NCV8460ADR2G 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC HIGH SIDE DRIVER WITH TEM RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCV8452STT3G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:40V SINGLE CHANNEL HS DRI - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / 40V SINGLE CHANNEL HS DRI NCV8452STT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:40V SINGLE CHANNEL HS DRI - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / 40V SINGLE CHANNEL HS DRI NCV8450STT3G 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED HIGH SIDE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NCV8501D33G NCV8501D33R2 NCV8501D33R2G NCV8501D50 NCV8501D50G NCV8501D50R2 NCV8501D50R2G NCV8501D80 NCV8501D80G NCV8501D80R2 NCV8501D80R2G NCV8501DADJ NCV8501DADJG NCV8501DADJR2 NCV8501DADJR2G NCV8501PDW100 NCV8501PDW100G NCV8501PDW100R2
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