NIN-FC8R2KTRF

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制造商
NIC Components Corp
功能描述
IND CHIP MLD WW 8.2UH 10% 7.96MHZ 25Q-FCTR 105MA 1008 - Tape and Reel

NIN-FC8R2KTRF 技術參數(shù)

NIMD6001ANR2G 功能描述:MOSFET 60V 3.3A 130 MOHM DUAL RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NIF62514T3G 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NIF62514T1G 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NIF62514T1 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NIF5003NT3G 功能描述:MOSFET 42V 14A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NIS5102QP2HT1 NIS5102QP2HT1G NIS5112D1R2G NIS5112D1R2G1 NIS5112D2R2G NIS5132-35GEVB NIS5132MN1-FN-7 NIS5132MN1TXG NIS5132MN2-FN-7 NIS5132MN2TXG NIS5132MN3TXG NIS5135MN1-FN-7 NIS5135MN1TXG NIS5135MN2-FN-7 NIS5135MN2TXG NIS5232-35GEVB NIS5232MN1TXG NIS5431MT1GEVB