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NLV25T-R10J-PFD

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  • 封裝
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  • 操作
  • NLV25T-R10J-PFD
    NLV25T-R10J-PFD

    NLV25T-R10J-PFD

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TDK Corporation

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • NLV25T-R10J-PFD
    NLV25T-R10J-PFD

    NLV25T-R10J-PFD

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • TDK

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
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NLV25T-R10J-PFD 技術(shù)參數(shù)
  • NLV25T-R10J-PF 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 800 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100nH 容差:±5% 額定電流:280mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:800 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:800MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-R10J-EFD 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 800 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100nH 容差:±5% 額定電流:280mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:800 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:800MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-R10J-EF 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 800 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100nH 容差:±5% 額定電流:280mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:800 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:800MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-8R2J-PF 功能描述:8.2μH Unshielded Wirewound Inductor 160mA 3.05 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:8.2μH 容差:±5% 額定電流:160mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:3.05 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:36MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-8R2J-EFD 功能描述:8.2μH Unshielded Wirewound Inductor 160mA 3.05 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:8.2μH 容差:±5% 額定電流:160mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:3.05 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:36MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-R18J-EFD NLV25T-R18J-PF NLV25T-R18J-PFD NLV25T-R22J-EF NLV25T-R22J-EFD NLV25T-R22J-PF NLV25T-R22J-PFD NLV25T-R27J-EF NLV25T-R27J-EFD NLV25T-R27J-PF NLV25T-R27J-PFD NLV25T-R33J-EF NLV25T-R33J-EFD NLV25T-R33J-PF NLV25T-R33J-PFD NLV25T-R39J-EF NLV25T-R39J-EFD NLV25T-R39J-PF
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