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NP55N055SDG-E1-AZ

配單專家企業(yè)名單
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  • NP55N055SDG-E1-AZ
    NP55N055SDG-E1-AZ

    NP55N055SDG-E1-AZ

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • RENESAS/瑞薩

  • TO-252

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • NP55N055SDG-E1-AZ
    NP55N055SDG-E1-AZ

    NP55N055SDG-E1-AZ

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • RENESAS

  • TO-252

  • 最新批號

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  • NP55N055SDG-E1-AZ
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  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 8270

  • RENESAS

  • TO-252

  • 1236+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨/特價

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
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NP55N055SDG-E1-AZ PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Renesas Electronics
  • 功能描述
  • Cut Tape
  • 制造商
  • Renesas
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 55V 55A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
NP55N055SDG-E1-AZ 技術(shù)參數(shù)
  • NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):100 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:27MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標準包裝:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±30% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):42 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:60MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標準包裝:10 NP04SZB220M 功能描述:22μH Shielded Inductor 770mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±20% 額定電流:770mA 電流 - 飽和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):300 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:10MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標準包裝:10 NP04SZB1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±30% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):30 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:96MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標準包裝:10 NP04SZB100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):130 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:15MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標準包裝:10 NP5Q128A13ESFC0E NP5Q128AE3ESFC0E NP5-SQ000 NP5-SQ000B NP5-SQ001 NP5-SQ001B NP60N03KUG-E1-AY NP60N03SUG-E1-AY NP60N04KUG-E1-AY NP60N04MUG-S18-AY NP60N04MUK-S18-AY NP60N04NUK-S18-AY NP60N04VUK-E1-AY NP60N055KUG-E1-AY NP60N055MUK-S18-AY NP60N055NUK-S18-AY NP60N055VUK-E1-AY N-P68
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