NUSDR860-TK

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NUSDR860-TK 技術參數

NUS3116MTR2G 功能描述:MOSFET OSPI QUAD BUS BUFFER RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NUS3065MUTAG 功能描述:監(jiān)控電路 LO PROFILE OVERVLTG PROTECT IC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 監(jiān)測電壓數: 監(jiān)測電壓: 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 輸出類型:Active Low, Open Drain 人工復位:Resettable 監(jiān)視器:No Watchdog 電池備用開關:No Backup 上電復位延遲（典型值）:10 s 電源電壓-最大:5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UDFN-6 封裝:Reel NUS3046MNT1G 功能描述:MOSFET 5.5V OVP IC W/ FET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NUR460/L03,112 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.28V @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:65ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:150°C（最大）基本零件編號:NUR460 標準包裝:500 NUR460/L02,112 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.28V @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:65ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:500 NUTINY-SDK-NUC120 NUTINY-SDK-NUC122 NUTINY-SDK-NUC123 NUTINY-SDK-NUC140 NUTINY-SDK-NUC200 NUTINY-SDK-NUC220 NUTINY-SDK-NUC240 NUV12 NUV6 NV06P00472J-- NV06P00472K-- NV11G000 NV11G000HF NV11T000 NV11T000HF NV1250T0 NV1250T0C NV1250T0N