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OP530T,005

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  • 封裝
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OP530T,005 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET OP530T/UNCASED/FOIL/
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
OP530T,005 技術(shù)參數(shù)
  • OP525DA 功能描述:PHOTODARLINGTON NPN CLR 1210 SMD 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:200nA 波長(zhǎng):935nm 視角:25° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:表面貼裝 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 80°C（TA） 封裝/外殼:1210（3225 公制） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 OP525 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN CLR 1210 SMD 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長(zhǎng):935nm 視角:25° 功率 - 最大值:75mW 安裝類型:表面貼裝 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 80°C（TA） 封裝/外殼:1210（3225 公制） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 OP522 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN CLEAR 1206 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長(zhǎng):935nm 視角:- 功率 - 最大值:75mW 安裝類型:表面貼裝 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:1206（3216 公制） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 OP521DA 功能描述:PHOTODARLINGTON NPN CLR 1206 SMD 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:200nA 波長(zhǎng):935nm 視角:150° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:表面貼裝 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:1206（3216 公制） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 OP521 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN CLEAR 1206 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長(zhǎng):935nm 視角:- 功率 - 最大值:75mW 安裝類型:表面貼裝 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:1206（3216 公制） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 OP550D OP552A OP552B OP552C OP555A OP555B OP555C OP555D OP560A OP560B OP560C OP565A OP565B OP565C OP570 OP571 OP572 OP57216
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