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PDTB123YS

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
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  • 批號(hào)
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  • 說明
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  • PDTB123YS
    PDTB123YS

    PDTB123YS

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • PDTB

  • 10+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • PDTB123YS
    PDTB123YS

    PDTB123YS

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ORIGINAL

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 代理此型號(hào),原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • PDTB123YS
    PDTB123YS

    PDTB123YS

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 31876

  • NXP/恩智浦

  • 23+

  • -
  • 終端免費(fèi)提樣,可開票

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
PDTB123YS PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ
PDTB123YS 技術(shù)參數(shù)
  • PDTB123ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):2.2 kOhms 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTB113ZT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):1 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):10 kOhms 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA144WT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):47 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):22 kOhms 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA144WM,315 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):47 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):22 kOhms 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號(hào):PDTA144 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA144WE,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):47k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):22k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTB143XQAZ PDTB143XTR PDTB143XTVL PDTB143XUF PDTB143XUX PDTC114EE,115 PDTC114EK,115 PDTC114EK,135 PDTC114EM,315 PDTC114EMB,315 PDTC114EQAZ PDTC114ES,126 PDTC114ET,215 PDTC114ET,235 PDTC114ET/DG/B2,21 PDTC114EU,115 PDTC114EU,135 PDTC114TE,115
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