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PDTC144WS

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  • PDTC144WS
    PDTC144WS

    PDTC144WS

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

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  • PHILIPS

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  • PDTC144WS
    PDTC144WS

    PDTC144WS

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 638850

  • NXP

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  • PDTC144WS
    PDTC144WS

    PDTC144WS

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

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    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • PHILIPS

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  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 k-ohm, R2 = 22 k-ohm
PDTC144WS 技術(shù)參數(shù)
  • PDTC144WM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:22 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTC144 標準包裝:1 PDTC144WE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:22k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTC144TM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTC144 標準包裝:1 PDTC144TE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTC144EU,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323-3 基本零件編號:PDTC144 標準包裝:1 PDTD113EUX PDTD113ZK,115 PDTD113ZQAZ PDTD113ZS,126 PDTD113ZT,215 PDTD113ZTVL PDTD113ZUF PDTD113ZUX PDTD114EQAZ PDTD114ETR PDTD114ETVL PDTD114EUF PDTD114EUX PDTD123EK,115 PDTD123EQAZ PDTD123ES,126 PDTD123ET,215 PDTD123EUF
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