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PEMD9/DG,315

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PEMD9/DG,315 技術(shù)參數(shù)
  • PEMD9,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMD48,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):4.7 千歐,22 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V / 100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMD4,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 基本零件編號:P*MD4 標準包裝:1 PEMD3,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):10 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 基本零件編號:P*MD3 標準包裝:1 PEMD2,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):22 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):22 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 基本零件編號:MD2 標準包裝:1 PEMH16,115 PEMH17,115 PEMH18,115 PEMH19,115 PEMH2,115 PEMH2,315 PEMH20,115 PEMH24,115 PEMH30,115 PEMH30,315 PEMH4,115 PEMH7,115 PEMH9,115 PEMH9,315 PEMI1QFN/CE,315 PEMI1QFN/CG,315 PEMI1QFN/CK,315 PEMI1QFN/CM,315
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