PEMI1QFN/CG+315

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Electromechanical Filter 50Ohm
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Cut Tape

PEMI1QFN/CG+315 技術(shù)參數(shù)

PEMI1QFN/CG,315 功能描述:RC (Pi) EMI Filter 2nd Order Low Pass 1 Channel R = 20 Ohms, C = 11pF (Total) SC-101, SOT-883 制造商:nxp semiconductors 系列:PEMIxQFN 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:低通濾波器階數(shù):2nd 技術(shù):RC（Pi）通道數(shù):1 中心/截止頻率:- 衰減值:9dB @ 800MHz ~ 3GHz 電阻 - 通道（歐姆）:20 電流:- 數(shù)值:R = 20 歐姆，C = 11pF（總計） ESD 保護:是工作溫度:-40°C ~ 85°C 應(yīng)用:LAN，PCS，WAN 電壓 - 額定:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 大小/尺寸:0.039" 長 x 0.024" 寬（1.00mm x 0.60mm）高度:0.020"（0.50mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PEMI1QFN/CE,315 功能描述:RC (Pi) EMI Filter 2nd Order Low Pass 1 Channel R = 20 Ohms, C = 8.5pF (Total) SC-101, SOT-883 制造商:nxp semiconductors 系列:PEMIxQFN 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:低通濾波器階數(shù):2nd 技術(shù):RC（Pi）通道數(shù):1 中心/截止頻率:- 衰減值:7dB @ 800MHz ~ 3GHz 電阻 - 通道（歐姆）:20 電流:- 數(shù)值:R = 20 歐姆，C = 8.5pF（總計） ESD 保護:是工作溫度:-40°C ~ 85°C 應(yīng)用:LAN，PCS，WAN 電壓 - 額定:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 大小/尺寸:0.039" 長 x 0.024" 寬（1.00mm x 0.60mm）高度:0.020"（0.50mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PEMH9,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 千歐電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PEMH20,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 千歐電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:2.2 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 基本零件編號:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PEMH15,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 千歐電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:4.7 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PEMI1QFN/HP,315 PEMI1QFN/HR,315 PEMI1QFN/HT,315 PEMI1QFN/LE,315 PEMI1QFN/LG,315 PEMI1QFN/LK,315 PEMI1QFN/LM,315 PEMI1QFN/LP,315 PEMI1QFN/LR,315 PEMI1QFN/LT,315 PEMI1QFN/RE,315 PEMI1QFN/RG,315 PEMI1QFN/RK,315 PEMI1QFN/RM,315 PEMI1QFN/RP,315 PEMI1QFN/RR,315 PEMI1QFN/RT,315 PEMI1QFN/WE,315