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PH2920

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  • PH2920
    PH2920

    PH2920

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 25000

  • PHILIPS

  • SOP08

  • 2024+

  • -
  • 絕對現(xiàn)貨

  • PH2920
    PH2920

    PH2920

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10950

  • KEXIN

  • SOP08

  • 14+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • PH2920
    PH2920

    PH2920

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • PHILIPS

  • 價格優(yōu)勢

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
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PH2920 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • N-channel enhancement mode field-effect transistor
PH2920 技術(shù)參數(shù)
  • PH28F320W18BE60A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 60NS VFBGA PH2731-75L 功能描述:TRANSISTOR BIPOLAR 2.7-3.1GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):65V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:8.16dB ~ 8.86dB 功率 - 最大值:75W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):7A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:6 PH2729-25M 功能描述:TRANS BIPOLAR 25W 2.7-2.9GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:9.2dB 功率 - 最大值:70W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:6 PH2729-130M 功能描述:TRANSISTOR 130WPK 2.7-2.9GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):63V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:9.73dB ~ 8.85dB 功率 - 最大值:130W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):12.5A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:6 PH2625L,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):32nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4308pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PH300A28024 PH300A28024/T PH300A28028 PH300A28028/T PH300A28048 PH300A28048/T PH300F110-12 PH300F110-15 PH300F110-2 PH300F110-24 PH300F110-28 PH300F110-3 PH300F110-5 PH300F24-12 PH300F24-28 PH300F280-12 PH300F280-15 PH300F280-2
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