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PHD16N8-5

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  • PHD16N8-5N
    PHD16N8-5N

    PHD16N8-5N

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • S

  • 標(biāo)準封裝

  • 92+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • PHD16N8-5N
    PHD16N8-5N

    PHD16N8-5N

  • 深圳市大源實業(yè)科技有限公司
    深圳市大源實業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：李女士

    電話：1530261991513762584085

    地址：深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場C座707室

  • 7600

  • S

  • DIP20

  • 22+

  • -

  • 公司原裝現(xiàn)貨，可訂貨，有單來談QQ:16...

  • PHD16N8-5
    PHD16N8-5

    PHD16N8-5

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3555

  • PHILIPS

  • ROHS

  • 201320+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存。400-800-03...

  • PHD16N8-5N
    PHD16N8-5N

    PHD16N8-5N

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-836658130755-83465652

    地址：深南中路佳和大廈B座907

  • 15

  • S

  • DIP-20

  • 92+

  • -

  • █100%現(xiàn)貨█可開17%增票█可申請免...

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
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PHD16N8-5 技術(shù)參數(shù)
  • PHD13005,127 功能描述:TRANS NPN 400V 4A TO220AB 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 1A，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2A，5V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準包裝:1,000 PHD13003C,412 功能描述:TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:2.1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準包裝:10,000 PHC2300,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:340mA，235mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:102pF @ 50V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準包裝:1 PHC21025,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A，2.3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 2.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準包裝:1 PHB66NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:66A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:860pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:93W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準包裝:1 PHD37N06LT,118 PHD38999/20FB4PN PHD38999/20WB4PN PHD38999/24FB4PN PHD38999/26FB4SN PHD38999/26WB4SN PHD38999/26WC8SN PHD38999/26WF30SN PHD3899920FF30PN PHD3899920FH48PN PHD3899924WC8PN PHD3899926FB4PN PHD3899926WC8PA PHD3899926WC8PN PHD38N02LT,118 PHD45N03LTA,118 PHD45NQ15T,118 PHD55N03LTA,118
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