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PHM001A 功率放大模塊 軍品

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PHM001A 功率放大模塊 軍品 技術參數
  • PHL5830AL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8HVSON 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 PHL3212 功能描述:LABEL 3"X1.5" BLUE/RED/WHITE 制造商:panduit corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:標簽 標簽類型:- 標簽尺寸:3.00" 長 x 1.50" 寬(76.2mm x 38.1mm) 材料:乙烯基 顏色:藍色,紅色,白色 配套使用產品/相關產品:- 標準包裝:1 PHK04P02T,518 功能描述:MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):16V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.66A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7.2nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):528pF @ 12.8V FET 功能:- 功率耗散(最大值):5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 1A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標準包裝:1 PHG.1B.308.CLLD52Z 功能描述:8 Position Circular Connector Receptacle, Female Sockets Solder Cup Gold 制造商:lemo 系列:1B 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 連接器類型:插座,母形插口 針腳數:8 外殼尺寸 - 插件:308 外殼尺寸,MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:焊杯 緊固類型:推挽式,銷鎖 朝向:G 侵入防護:IP50 - 防塵 外殼材料,鍍層:黃銅,鍍鉻 觸頭鍍層:金 特性:后殼,屏蔽 觸頭鍍層厚度:59μin(1.50μm) 額定電流:- 電壓 - 額定:- 工作溫度:-55°C ~ 250°C 標準包裝:1 PHG.1B.306.CLLD52Z 功能描述:6 Position Circular Connector Receptacle, Female Sockets Solder Cup Gold 制造商:lemo 系列:1B 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 連接器類型:插座,母形插口 針腳數:6 外殼尺寸 - 插件:306 外殼尺寸,MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:焊杯 緊固類型:推挽式,銷鎖 朝向:G 侵入防護:IP50 - 防塵 外殼材料,鍍層:黃銅,鍍鉻 觸頭鍍層:金 特性:后殼,屏蔽 觸頭鍍層厚度:59μin(1.50μm) 額定電流:- 電壓 - 額定:- 工作溫度:-55°C ~ 250°C 標準包裝:1 PHN.0F.303.XLM PHN.0F.304.XLM PHN.0F.305.XLM PHN.0M.302.XLM PHN.0M.304.XLM PHN.0M.304.XLMT PHN.0M.305.XLM PHN.0M.305.XLMT PHN.1F.303.XLM PHN.1F.305.XLM PHN.1F.307.XLM PHN.1F.308.XLM PHN.1M.305.XLMT PHN.1M.307.XLMT PHN.1M.308.XLM PHN.1M.308.XLMM PHN.1M.308.XLMT PHN.2F.310.XLM
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