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PHP50N06CT

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PHP50N06CT 技術參數
  • PHP45NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 105V 47A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):105V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):47A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2930pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP45NQ10T,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):47A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP36N03LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 43.4A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):43.4A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):18.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):690pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):57.6W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP33NQ20T,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):32.7A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):32.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1870pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):77 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP30NQ15T,127 功能描述:MOSFET N-CH 150V 29A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):29A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2390pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):63 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP78NQ03LT,127 PHP79NQ08LT,127 PHP8.4 PHP83N03LT,127 PHP96NQ03LT,127 PHP9NQ20T,127 PH-PCBA1 PH-PCBA2 PHPF19005BK2 PHPF19005CG2 PHPF19005LG2 PHPF19008BK2 PHPF19008CG2 PHPF19008LG2 PHPF19012BK2 PHPF19012CG2 PHPF19012LG2 PHPLUS
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