PHT6NQ10T@135

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PHT6NQ10T@135
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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PHT6NQ10T@135 技術參數

PHT6NQ10T,135 功能描述:MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:633pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta），8.3W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 3A，10V 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 PHT6N06T,135 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:175pF @ 25V 功率 - 最大值:8.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 PHT6N06LT,135 功能描述:MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:330pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 PHT-653067 功能描述:TIP REPL .04" CON LONG 650SRS 制造商:oki/metcal 系列:PS-800，650 零件狀態(tài):停產尖頭 - 類型:焊接尖頭 - 尺寸:0.04" 外徑 x 0.59" 長（1.02mm x 14.99mm）尖頭 - 形狀:圓錐形溫度范圍:- 配套使用產品/相關產品:PS-HC1 標準包裝:1 PHT-652335 功能描述:TIP REPL .02" CON BENT 650SRS 制造商:oki/metcal 系列:PS-800，650 零件狀態(tài):停產尖頭 - 類型:焊接尖頭 - 尺寸:0.02" 外徑 x 0.39" 長（0.51mm x 9.91mm）尖頭 - 形狀:圓錐形，彎曲溫度范圍:- 配套使用產品/相關產品:PS-HC1 標準包裝:1 PHT-752057 PHT-752327 PHT-752335 PHT8N06LT,135 PHU.2M.319.XLMT PHU101NQ03LT,127 PHU108NQ03LT,127 PHU11NQ10T,127 PHU-131P.HOLDER PHU66NQ03LT,127 PHU77NQ03T,127 PHU78NQ03LT,127 PHU930-1312-011 PHU97NQ03LT,127 PHUA8060-35A-33-000 PHV1010N PHV1012N PHV1023CMEN