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PMBF5485

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  • PMBF5485
    PMBF5485

    PMBF5485

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NXP

  • SOT-23

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • PMBF5485
    PMBF5485

    PMBF5485

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NXP

  • 08+/pb

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • PMBF5485
    PMBF5485

    PMBF5485

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 638850

  • NXP

  • SOT-23

  • 最新批次

  • -

  • OEM渠道，價(jià)格超越代理！

  • PMBF5485
    PMBF5485

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  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級(jí)代理

    電話：0755-83254770

    地址：深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈A座7樓整層

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • NXP

  • SOT-23

  • 18+

  • -

  • 專業(yè)SMD MOS

  • PMBF5485
    PMBF5485

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  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人：柯先生/趙小姐

    電話：0755-83665813

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門市部：中航路都會(huì)電子3C002B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 1600

  • NXP

  • SOT-23

  • 2012+

  • -

  • 數(shù)量有多價(jià)格可議.量大發(fā)貨1天

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  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • N-channel field-effect transistors
PMBF5485 技術(shù)參數(shù)
  • PMBF4393,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:100 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBF4392,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2V @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBF4391,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:50mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:4V @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:30 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBF170,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBD914,235 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:215mA（DC） 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:1.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 工作溫度 - 結(jié):150°C（最大） 基本零件編號(hào):PMBD914 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ177,215 PMBFJ308,215 PMBFJ309,215 PMBFJ310,215 PMBFJ620,115 PMBS3904,215 PMBS3904,235 PMBS3906,215 PMBS3906,235 PMBT2222,215 PMBT2222,235 PMBT2222A,215 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215
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