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PMBF5486

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  • PMBF5486
    PMBF5486

    PMBF5486

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NXP

  • SOT-23

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • PMBF5486
    PMBF5486

    PMBF5486

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NULL

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  • 09/10+

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • PMBF5486
    PMBF5486

    PMBF5486

  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯(lián)系人:江小姐 ADS觸摸芯片一級代理

    電話:0755-83254770

    地址:深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • NXP

  • SOT-23

  • 18+

  • -
  • 專業(yè)SMD MOS

  • 1/1頁 40條/頁 共21條 
  • 1
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  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • N-channel field-effect transistors
PMBF5486 技術參數(shù)
  • PMBF4393,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):500mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14pF @ 20V 電阻 - RDS(開):100 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBF4392,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):25mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14pF @ 20V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBF4391,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):50mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):4V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14pF @ 20V 電阻 - RDS(開):30 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBF170,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):300mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 PMBD914,235 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 75V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:1.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 工作溫度 - 結:150°C(最大) 基本零件編號:PMBD914 標準包裝:1 PMBFJ177,215 PMBFJ308,215 PMBFJ309,215 PMBFJ310,215 PMBFJ620,115 PMBS3904,215 PMBS3904,235 PMBS3906,215 PMBS3906,235 PMBT2222,215 PMBT2222,235 PMBT2222A,215 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215
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