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PMC-SIERRA (PM8851A-WGI)

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PMC-SIERRA (PM8851A-WGI) 技術(shù)參數(shù)
  • PMCPB5530X,115 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.3A,3.4A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):21.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):660pF @ 10V 功率 - 最大值:490mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMCM650VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 4WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6.4A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):15.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1060pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):556mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-WLCSP(1.48x.98) 封裝/外殼:6-XFBGA,WLCSP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMCM650CUNEZ 功能描述:PMCM650CUNE NAX000 NONE 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):- 功率 - 最大值:556mW(Ta) 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFBGA,WLCSP 供應(yīng)商器件封裝:6-WLCSP(1.48x0.98) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMCM6501VPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 12V 6WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6.2A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):29.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1400pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):556mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-WLCSP(1.48x.98) 封裝/外殼:6-XFBGA,WLCSP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMCM6501VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 6WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7.3A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):24nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):920pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):556mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-WLCSP(1.48x.98) 封裝/外殼:6-XFBGA,WLCSP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMD1204PJB1-A PMD1204PJB3-A PMD1204PPB1-A(2) PMD1204PPB1-A.(2).GN PMD1204PPB2-A.(2).GN PMD1204PPB3-A.(2).GN PMD1204PPBX-A(2).Z.F.PWM.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.R.PWM.GN PMD1204PQB1-A (2) PMD1204PQB1-A (2) F PMD1204PQB1-A.(2).GN PMD1204PQB1-A.(2).U.F.GN PMD1204PQB1-A.(2).U.GN PMD1204PQB2-A.(2).GN PMD1204PQBX-A (2) F PMD1204PQBX-A.(2).F.GN PMD1204PQBX-A.(2).GN
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