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PMF4218TP

PMF4218TP
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
ERICSSON
TRAY
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

PMF4218TP
深圳市華盛錦科技有限公司
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聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）
地址：華強街道賽格廣場55樓5566室
資質：營業(yè)執(zhí)照
86520
ERICSSON/愛立信
NA
2020+
-
★★★真實庫存，假一賠十，原廠授權★★★

PMF4218TP
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ERICSSO
DIP
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

PMF4218TP
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
聯(lián)系人：吳
電話：18320850923
地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室
133
ERICSSON/愛立信
NA
17+
-
真芯合作銳意進取

PMF4218TP
深圳市粵科源興科技有限公司
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聯(lián)系人：謝先生
電話：13392885468
地址：深圳市福田區(qū)華強路賽格廣場大廈69樓6998室/華強電子世界三期4C159-160室
資質：營業(yè)執(zhí)照
1283
Ericsson
ROHS
13+
-
原裝現(xiàn)貨/價格優(yōu)勢

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功能描述
DC/DC轉換器 0.8-2.5V 10A Non-Iso Input 3.3V 25W
RoHS
否
制造商
Murata
產(chǎn)品
輸出功率
輸入電壓范圍
3.6 V to 5.5 V
輸入電壓（標稱）
輸出端數(shù)量
1
輸出電壓（通道 1）
3.3 V
輸出電流（通道 1）
600 mA
輸出電壓（通道 2）
輸出電流（通道 2）
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體尺寸

PMF4218TP 技術參數(shù)

PMF400UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 830MA SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:830mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:480 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:560mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 PMF3800SN,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.85nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:560mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 PMF370XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.87A SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:870mA（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.65nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:37pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:560mW（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:440 毫歐 @ 200mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標準包裝:1 PMF290XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:34pF @ 20V 功率 - 最大值:560mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 PMF280UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.02A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:340 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:45pF @ 20V 功率 - 最大值:560mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 PMF-4V320WCAR PMF-4V320WCGB PMF-4V320WCGR PMF500 PM-F54 PM-F54P PMF-5V320WCAB PMF-5V320WCAR PMF-5V320WCGB PMF-5V320WCGR PMF625 PMF63UN,115 PMF63UNEAX PMF63UNEX PM-F64 PM-F64P PM-F65 PM-F65-P