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PMH10505DLUOVUTPLANMECAR16259

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PMH10505DLUOVUTPLANMECAR16259 技術(shù)參數(shù)
  • PMGD8000LN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:125mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:18.5pF @ 5V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD780SN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:490mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:920 毫歐 @ 300mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.05nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:23pF @ 30V 功率 - 最大值:410mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD400UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:710mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:480 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:410mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD370XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:740mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:440 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.65nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:37pF @ 25V 功率 - 最大值:410mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD290XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:860mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:34pF @ 20V 功率 - 最大值:410mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMH-10M-DC12V PMH-10M-DC24V PMH1206-121 PMH1206-300 PMH1206-601 PMH1206-700 PMH1206-900 PMH1210-300 PMH1210-500 PMH1210-800 PMH15GY PMH1806-101 PMH1806-600 PMH1806-800 PMH1812-121 PMH1812-900 PMH-24V100WCAA PMH-24V100WCAH
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