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PMN20EN,115

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PMN20EN,115
    PMN20EN,115

    PMN20EN,115

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • TSOP6

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • PMN20EN,115
    PMN20EN,115

    PMN20EN,115

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • NXP

  • SC-74

  • 新年份

  • -

  • 一級代理全新原裝現(xiàn)貨特價！

  • PMN20EN,115
    PMN20EN,115

    PMN20EN,115

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人：馮

    電話：17841084408

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20

  • 9000

  • 原裝正品

  • TSOP-6

  • 2019+

  • -

  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

  • PMN20EN,115
    PMN20EN,115

    PMN20EN,115

  • 深圳市澤芯微科技有限公司
    深圳市澤芯微科技有限公司

    聯(lián)系人：柯小姐

    電話：0755-8273028382732023

    地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室

  • 9000

  • nxp

  • tsop-6

  • 2011+pb

  • -

  • 進口原裝現(xiàn)貨，一定自己庫存

  • PMN20EN,115
    PMN20EN,115

    PMN20EN,115

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
PMN20EN,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET Small Signal MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PMN20EN,115 技術(shù)參數(shù)
  • PMN16XNEX 功能描述:MOSFET N-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.9A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1136pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:550mW（Ta）, 6.25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 6.9A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMN15UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A SC-74 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN.1M.308.XLMT 功能描述:8 Position Circular Connector Receptacle, Female Sockets Crimp Gold 制造商:lemo 系列:1M 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 連接器類型:插座，母形插口 針腳數(shù):8 外殼尺寸 - 插件:308 外殼尺寸，MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:壓接 緊固類型:有螺紋 朝向:N（正常型） 侵入防護:IP68 - 防塵，防水 外殼材料，鍍層:鋁合金，鍍鎳 觸頭鍍層:金 特性:屏蔽 觸頭鍍層厚度:59μin（1.50μm） 額定電流:5A 電壓 - 額定:- 工作溫度:-55°C ~ 200°C 標準包裝:1 PMMT591A,235 功能描述:TRANS PNP 40V 1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 基本零件編號:PMMT591A 標準包裝:1 PMMT591A,215 功能描述:TRANS PNP 40V 1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 基本零件編號:PMMT591A 標準包裝:1 PMN27XPE,115 PMN27XPEAX PMN28UN,135 PMN28UN,165 PMN30UNEX PMN30UNX PMN30XPX PMN34LN,135 PMN34UN,135 PMN34UP,115 PMN35EN,115 PMN35EN,125 PMN38EN,135 PMN38EN,165 PMN40ENEX PMN40LN,135 PMN40UPE,115 PMN40UPEAX
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