PMN28UN /T3

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功能描述
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

PMN28UN /T3 技術(shù)參數(shù)

PMN27XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1770pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMN27UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.7A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:31nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2340pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:540mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 2.4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMN27UN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:740pF @ 10V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN25UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:470pF @ 10V 功率 - 最大值:530mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN25EN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 6.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:492pF @ 15V 功率 - 最大值:540mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN35EN,125 PMN38EN,135 PMN38EN,165 PMN40ENEX PMN40LN,135 PMN40UPE,115 PMN40UPEAX PMN42XPE,115 PMN42XPEAH PMN42XPEAX PMN45EN,135 PMN45EN,165 PMN48XP,115 PMN48XP,125 PMN48XPAX PMN49EN,135 PMN49EN,165 PMN50UPE,115