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PMN45EN+135

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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PMN45EN+135 技術(shù)參數(shù)
  • PMN45EN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):495pF @ 25V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN42XPEAH 功能描述:PMN42XPEA SOT457 SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.7A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):17.3nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1410pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta),8.33W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):46 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN42XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):17.3nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1410pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta),8.33W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):46 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN40UPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.7A(Ta) 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta),8.33W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):43 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN40LN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):555pF @ 25V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN6-3R-2K PMN6-5R-2K PMN70EPEX PMN70XPE,115 PMN70XPEAX PMN70XPX PMN80XP,115 PMNF1-3F-3K PMNF1-3F-C PMNF1-3R-3K PMNF1-3R-C PMNF1-3R-X PMNF1-4F-3K PMNF1-4F-C PMNF1-4R-C PMNF1-4R-X PMNF1-5F-C PMNF1-5R-C
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