PMXSIC0519Y

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PMXSIC0519Y
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
20000
原廠品牌
SOP
14+
-
全新原裝，進(jìn)口現(xiàn)貨，準(zhǔn)時交貨，量大優(yōu)惠

PMXSIC0519Y
甄芯網(wǎng)
甄芯網(wǎng)
聯(lián)系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
17106
ZILOG
SOP
00+
-
自家?guī)齑嫣貎r出有接受價可商量

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PMXSIC0519Y 技術(shù)參數(shù)

PMXB75UPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.9A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:608pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:317mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 2.9A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB65UPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:634pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:317mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 3.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB65ENE 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:295pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 3.2A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB56ENZ 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:209pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 3.2A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB56EN 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:209pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 3.2A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PM-Y54P PM-Y64 PM-Y64P PM-Y65 PM-Y65-P PMZ1000UN,315 PMZ1200UPEYL PMZ130UNEYL PMZ200UNEYL PMZ250UN,315 PMZ270XN,315 PMZ290UNE2YL PMZ290UNEYL PMZ290UNYL PMZ320UPEYL PMZ350UPEYL PMZ350XN,315 PMZ370UNEYL