PN0404

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PN0404
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
INFINEON
TO-263
22+
-
十年配單，只做原裝

PN0404
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
9600
INFINEON
TO-263-7
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

PN0404
甄芯網(wǎng)
甄芯網(wǎng)
聯(lián)系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15000
infineon
TO263-3
12+
-
專營原裝汽車IC

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PN0404 技術(shù)參數(shù)

PMZB950UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB950UPELYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 500MA 3DFN1006B 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB790SN,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:650mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:940 毫歐 @ 300mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.37nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:35pF @ 30V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB670UPE,315 功能描述:MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:680mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.14nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:87pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 400mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB600UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 20V XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:600mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:620 毫歐 @ 600mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PN06543 PN06580 PN06586 PN08017 PN08019 PN08027 PN08029 PN08310 PN100 PN100_D26Z PN100_D27Z PN100_D74Z PN100_D75Z PN100A PN100A_D26Z PN100A_D27Z PN100A_D74Z PN100A_D75Z