PSMN019-100P

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PSMN019-100P
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3555
PHILIPS
TO-22
201320+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫存。400-800-03...

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PSMN019-100P 技術(shù)參數(shù)

PSMN018-80YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:45A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1640pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:89W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN017-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1573pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:103W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN017-80BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1573pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:103W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN017-60YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:44A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1172pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:74W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15.7 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN017-30PL,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 32A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:552pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN025-100D,118 PSMN025-80YLX PSMN026-80YS,115 PSMN027-100BS,118 PSMN027-100PS,127 PSMN027-100XS,127 PSMN028-100YS,115 PSMN030-150B,118 PSMN030-150P,127 PSMN030-60YS,115 PSMN034-100BS,118 PSMN034-100PS,127 PSMN035-100LS,115 PSMN035-150B,118 PSMN035-150P,127 PSMN038-100K,518 PSMN038-100YLX PSMN039-100YS,115