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PSMN023-80LS

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    PSMN023-80LS

    PSMN023-80LS

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話(huà)：2394575513590206539

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 4120

  • Nxp

  • QFN

  • 2022+

  • -

  • 原裝正品，公司現(xiàn)貨庫(kù)存假一罰十，電話(huà)：0...

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFETN CH80V34AQFN3333
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET,N CH,80V,34A,QFN3333
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET,N CH,80V,34A,QFN3333, Transistor Polarity
PSMN023-80LS 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN023-40YLCX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:520pF @ 20V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK， 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN022-30PL,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:447pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:41W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN022-30BL,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:447pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:41W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22.6 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN021-100YLX 功能描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:49A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:65.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4640pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:147W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:21.5 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN020-30MLCX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31.8A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:430pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:33W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18.1 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線(xiàn)） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN030-150P,127 PSMN030-60YS,115 PSMN034-100BS,118 PSMN034-100PS,127 PSMN035-100LS,115 PSMN035-150B,118 PSMN035-150P,127 PSMN038-100K,518 PSMN038-100YLX PSMN039-100YS,115 PSMN040-100MSEX PSMN040-200W,127 PSMN041-80YLX PSMN045-80YS,115 PSMN050-80BS,118 PSMN050-80PS,127 PSMN057-200B,118 PSMN057-200P,127
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