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SI1905EDH-T1-E3

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  • SI1905EDH-T1-E3
    SI1905EDH-T1-E3

    SI1905EDH-T1-E3

  • 深圳市大源實(shí)業(yè)科技有限公司
    深圳市大源實(shí)業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:李女士

    電話(huà):1530261991513762584085

    地址:深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場(chǎng)C座707室

  • 98300

  • VISHAY

  • SOT363

  • 22+

  • -
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  • SI1905EDH-T1-E3
    SI1905EDH-T1-E3

    SI1905EDH-T1-E3

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • VISHAY

  • SOT-363

  • 08+(ROHS)

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • SI1905EDH-T1-E3
    SI1905EDH-T1-E3

    SI1905EDH-T1-E3

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • VISHAY

  • SOT-363

  • 08+(ROHS)

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • SI1905EDH-T1-E3
    SI1905EDH-T1-E3

    SI1905EDH-T1-E3

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • VISHAY

  • SOT-363

  • 08+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • SI1905EDH-T1-E3
    SI1905EDH-T1-E3

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  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯(lián)系人:江小姐 ADS觸摸芯片一級(jí)代理

    電話(huà):0755-83254770

    地址:深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈A座7樓整層

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • VISHAY

  • SOT363

  • 18+

  • -
  • 專(zhuān)業(yè)SMD MOS

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共12條 
  • 1
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SI1905EDH-T1-E3 技術(shù)參數(shù)
  • SI1869DH-T1-GE3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI1869DH-T1-E3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI1867DL-T1-GE3 功能描述:IC LOAD SW LEVEL SHIFTER SC-70-6 RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - 電源分配開(kāi)關(guān) 系列:- 特色產(chǎn)品:XRP252 Switches 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類(lèi)型:高端開(kāi)關(guān) 輸出數(shù):2 Rds(開(kāi)):140 毫歐 內(nèi)部開(kāi)關(guān):是 電流限制:1.15A 輸入電壓:1.75 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:10-WFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:10-TDFN(3x3) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):1016-1691-6 SI1867DL-T1-E3 功能描述:MOSFET 1.8-8.0V w/Lvl-Shift RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI1865DL-T1-GE3 功能描述:IC LOAD SW LVL SHIFT 1.2A SC70-6 RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - 電源分配開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:80 系列:- 類(lèi)型:USB 開(kāi)關(guān) 輸出數(shù):2 Rds(開(kāi)):135 毫歐 內(nèi)部開(kāi)關(guān):是 電流限制:1.5A 輸入電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP-PowerPad 包裝:管件 配用:TPS2066-1EVM-296-ND - TPS2066-1EVM-296 SI1965DH-T1-GE3 SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-GE3 SI1970DH-T1-E3 SI1970DH-T1-GE3 SI1972DH-T1-E3 SI1972DH-T1-GE3 SI1988DH-T1-E3 SI1988DH-T1-GE3 SI-20140 SI2111-A10-GM SI2111-A10-GMR SI2113-A10-GM SI2113-A10-GMR SI2115-A10-GM SI2115-A10-GMR SI2124-A20-GM SI2124-A20-GMR
配單專(zhuān)家

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