SIE802DF-T1-GE3

配單專家企業(yè)名單

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封裝
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價格
說明
操作

SIE802DF-T1-GE3
林沃田信息技術(深圳)有限公司
林沃田信息技術(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A
22+
-

SIE802DF-T1-GE3
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：張先生/雷小姐
電話：0755-83795896
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道賽格廣場55樓5566室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
34000
VISHAY/威世
21+原廠授權
-
★原廠授權★價超代理★

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功能描述
MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

SIE802DF-T1-GE3 技術參數(shù)

SIDEGIG-GUITAREVM 功能描述:EVALUATION MODULE 制造商:texas instruments 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售技術:磁耦合通道數(shù):1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脈寬失真（最大）:- 上升/下降時間（典型值）:90ns，81ns 電流 - 輸出高，低:3.6A，4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 寬），15 引線供應商器件封裝:eSOP-R16B 標準包裝:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:管件零件狀態(tài):在售技術:磁耦合通道數(shù):1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脈寬失真（最大）:- 上升/下降時間（典型值）:90ns，81ns 電流 - 輸出高，低:3.6A，4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 寬），15 引線供應商器件封裝:eSOP-R16B 標準包裝:48 SIE816DF-T1-E3 SIE816DF-T1-GE3 SIE818DF-T1-E3 SIE818DF-T1-GE3 SIE820DF-T1-E3 SIE820DF-T1-GE3 SIE822DF-T1-E3 SIE822DF-T1-GE3 SIE830DF-T1-E3 SIE830DF-T1-GE3 SIE832DF-T1-E3 SIE832DF-T1-GE3 SIE836DF-T1-E3 SIE836DF-T1-GE3 SIE844DF-T1-E3 SIE844DF-T1-GE3 SIE848DF-T1-E3 SIE848DF-T1-GE3