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SIR850DP-T1-E3

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  • SIR850DP-T1-E3
    SIR850DP-T1-E3

    SIR850DP-T1-E3

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴(lài)先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 8000

  • VISHAY

  • QFN8

  • 2024+

  • -

  • 保證原裝現(xiàn)貨

  • SIR850DP-T1-E3
    SIR850DP-T1-E3

    SIR850DP-T1-E3

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • VISHAY

  • SO-8

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • SIR850DP-T1-E3
    SIR850DP-T1-E3

    SIR850DP-T1-E3

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 162500

  • VISHAY

  • QFN8

  • 10+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • SIR850DP-T1-E3
    SIR850DP-T1-E3

    SIR850DP-T1-E3

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座1503

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 12010

  • VISHAY

  • QFN8

  • 2016+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價(jià)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共32條 
  • 1
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SIR850DP-T1-E3 技術(shù)參數(shù)
  • SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外線 電流 - DC 正向（If）:65mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:0.5mW/sr @ 20mA 波長(zhǎng):875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:120° 朝向:通用 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD，J 形引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:18mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 視角:26° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:9mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.34V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.38V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 SIR872ADP-T1-RE3 SIR872DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 SIR874DP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 SIR876DP-T1-GE3 SIR878ADP-T1-GE3 SIR878BDP-T1-RE3 SIR878DP-T1-GE3 SIR880ADP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 SIR882ADP-T1-GE3 SIR882DP-T1-GE3 SIR888DP-T1-GE3 SIR890DP-T1-GE3 SIR892DP-T1-GE3 SIR928-6C-F SIRA00DP-T1-GE3
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免責(zé)聲明：以上所展示的SIR850DP-T1-E3信息由會(huì)員自行提供，SIR850DP-T1-E3內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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