STB-4-E

配單專(zhuān)家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠(chǎng)商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

STB-4-E
現(xiàn)貨
深圳市訊順達(dá)科技有限公司
深圳市訊順達(dá)科技有限公司
聯(lián)系人：卓小姐/蔡小姐/莊小姐
電話(huà)：0755-827272340755-23915567
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A座15KL
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10000
ST
SOP
23+
-

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您是不是要找： STB4N62K3 STB4NK60Z-1 STB4NK60ZT4 STB50N25M5 STB50NE10T4 STB50NF25 STB55NF06LT4 STB55NF06T4 STB5600TR

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STB-4-E 技術(shù)參數(shù)

STB46N30M5 功能描述:MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:53A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 26.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4240pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB45NF06T4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:38A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:980pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線(xiàn)+接片），TO-263AA 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB45NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:38A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:980pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB45N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 35A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 19.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3375pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB45N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB57N65M5 STB5N52K3 STB5N62K3 STB5N80K5 STB5NK50Z-1 STB5NK50ZT4 STB5NK52ZD-1 STB60100CTR STB60N55F3 STB60NE06L-16T4 STB60NF06LT4 STB60NF06T4 STB60NF10-1 STB60NF10T4 STB60NH02LT4 STB6N52K3 STB6N60M2 STB6N62K3