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STD1058T4

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    STD1058T4

    STD1058T4

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 856420

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STD1058T4 技術(shù)參數(shù)
  • STD10150TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:150μA @ 150V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD10100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):750mV @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:300μA @ 100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:462pF @ 5V, 1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD10100CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對(duì)共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):750mV @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:120μA @ 100V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD100NH02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.8 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3940pF @ 15V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD100N3LF3 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):27nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2060pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD10NM60ND STD10NM65N STD10P10F6 STD10P6F6 STD10PF06-1 STD10PF06T4 STD110N02RT4G STD110N02RT4G-VF01 STD110N8F6 STD110NH02LT4 STD11N50M2 STD11N60DM2 STD11N60M2-EP STD11N65M2 STD11N65M5 STD11NM50N STD11NM60N STD11NM60N-1
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