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STD20N03HL

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    STD20N03HL

    STD20N03HL

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • TO-252

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
STD20N03HL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
STD20N03HL 技術(shù)參數(shù)
  • STD2045CTR 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45V 20A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):20A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):580mV @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 45V 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD20150TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.55V @ 20A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 150V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD1NK80ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):160pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD1NK80Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 800V 1A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):160pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STD1NK60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):156pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD21W-3 STD21W-4 STD21W-5 STD21W-6 STD21W-7 STD21W-8 STD21W-9 STD21W-A STD21W-B STD21W-C STD21W-D STD21W-E STD21W-F STD21W-G STD21W-H STD21W-I STD21W-J STD21W-K
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