STD30150CT

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說明
操作

STD30150CT
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：史仙雁
電話：19129911934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
2100
ON
ROHS
13+
-
全新原裝現(xiàn)貨庫存！400-800-030...

STD30150CT
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6550
ON
TO-252
201311+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫存！400-800-03...

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您是不是要找： STD30N10F7 STD30N6LF6AG STD30NE06L STD30NE06LT4 STD30NF03LT4 STD30NF04LT STD30NF06 STD30NF06LT4 STD30NF06T4

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STD30150CT 技術(shù)參數(shù)

STD2NK90ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.1A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 歐姆 @ 1.05A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:485pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD2NK90Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.1A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 歐姆 @ 1.05A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:485pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STD2NK70ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 歐姆 @ 800mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:280pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD2NK70Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 歐姆 @ 800mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:280pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STD2NK60Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 700mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:170pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STD30PF03L-1 STD30PF03LT4 STD3155L104T4G STD32 STD35N3LH5 STD35NF06LT4 STD35NF06T4 STD35NF3LLT4 STD35P6LLF6 STD36NH02L STD36P4LLF6 STD37P3H6AG STD38NH02L-1 STD38NH02LT4 STD3LN62K3 STD3LN80K5 STD3N40K3 STD3N62K3