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STD40NF06LZ-TR

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深圳市琦凌凱科技有限公司
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地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
S
DPAK
22+
-
十年配單，只做原裝

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深圳市華芯盛世科技有限公司
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8650000
ST
TO-252
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨??！

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北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯系人：劉先生
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地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
3000
ST
標準封裝
06+/07+
-
全新原裝100%正品保證質量

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STD40NF06LZ-TR 技術參數

STD40N2LH5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.3nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:700pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD3PK50Z 功能描述:MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1.4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:620pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD3NM60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:324pF @ 25V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD3NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 1.65A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:188pF @ 50V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD3NK90ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.8 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:590pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD47N10F7AG STD4LN80K5 STD4N52K3 STD4N62K3 STD4N80K5 STD4N90K5 STD4NK100Z STD4NK50Z-1 STD4NK50ZD STD4NK50ZD-1 STD4NK50ZT4 STD4NK60Z-1 STD4NK60ZT4 STD4NK80Z-1 STD4NK80ZT4 STD4NS25T4 STD50N03L STD50N03L-1