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STD50N03LT4

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  • STD50N03LT4
    STD50N03LT4

    STD50N03LT4

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ST

  • DIP220

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • STD50N03LT4
    STD50N03LT4

    STD50N03LT4

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • TO-252

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • STD50N03LT4
    STD50N03LT4

    STD50N03LT4

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話(huà):19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 25965

  • VB

  • TO-252

  • 15+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • STD50N03LT4
    STD50N03LT4

    STD50N03LT4

  • 深圳市源運(yùn)電子商行
    深圳市源運(yùn)電子商行

    聯(lián)系人:林先生

    電話(huà):15913992480

    地址:深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓

  • 6000

  • ST

  • SOT252

  • 16+

  • -
  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共21條 
  • 1
STD50N03LT4 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
STD50N03LT4 技術(shù)參數(shù)
  • STD50N03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1434pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD4NS25T4 功能描述:MOSFET N-CH 250V 4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.1 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):355pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD4NK80ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):22.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):575pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD4NK80Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):22.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):575pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線(xiàn),IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STD4NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):26nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):510pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD5407NNT4G STD5407NT4G STD55N4F5 STD55NH2LLT4 STD5N20LT4 STD5N20T4 STD5N52K3 STD5N52U STD5N60DM2 STD5N60M2 STD5N62K3 STD5N80K5 STD5N95K3 STD5N95K5 STD5NK40Z-1 STD5NK40ZT4 STD5NK50Z-1 STD5NK50ZT4
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