STD5109

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STD5109
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3555
PHILIPS
ZIP
201320+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫(kù)存。400-800-03...

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您是不是要找： STD5150TR STD5200TR STD52P3LLH6 STD5406NT4G STD5406NT4G-VF01 STD5407NNT4G STD5407NT4G STD55N4F5 STD55NH2LLT4

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STD5109 技術(shù)參數(shù)

STD5100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:120μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD50NH02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD50NH02L-1 功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 STD50N03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1434pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD4NS25T4 功能描述:MOSFET N-CH 250V 4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:355pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD5N20LT4 STD5N20T4 STD5N52K3 STD5N52U STD5N60DM2 STD5N60M2 STD5N62K3 STD5N80K5 STD5N95K3 STD5N95K5 STD5NK40Z-1 STD5NK40ZT4 STD5NK50Z-1 STD5NK50ZT4 STD5NK52ZD STD5NK52ZD-1 STD5NK60ZT4 STD5NM50T4