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STG1701J-13Z

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  • STG1701J-13Z
    STG1701J-13Z

    STG1701J-13Z

  • 深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話(huà)：0755-88608801多線(xiàn)17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 11630

  • ST

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -

  • 原裝正品，優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • STG1701J-13Z
    STG1701J-13Z

    STG1701J-13Z

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • 庫(kù)存現(xiàn)貨 歡迎來(lái)電查詢(xún)

  • 2009+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共5條 
  • 1
STG1701J-13Z PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
STG1701J-13Z 技術(shù)參數(shù)
  • STFW6N120K3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1050pF @ 100V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW69N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:58A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 29A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:143nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6420pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW60N65M5 功能描述:MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:139nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6810pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW4N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STFW45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3470pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STG3684AQTR STG3684AUTR STG3684QTR STG3689DTR STG3690QTR STG3692QTR STG3693QTR STG3696EQTR STG3699ADWF STG3699AQTR STG3699AUTR STG3699BVTR STG3699QTR STG3820BJR STG3856QTR STG3P2M10N60B STG4158BJR STG4159BJR
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