STGD7NB60MT4

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

STGD7NB60MT4
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
ST
原廠原裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

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功能描述
IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGD7NB60MT4 技術(shù)參數(shù)

STGD7NB60KT4 功能描述:IGBT 600V 14A 70W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):56A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.8V @ 15V，7A 功率 - 最大值:70W 開關(guān)能量:95μJ（開），140μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:32.7nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/50ns 測試條件:480V，7A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD6NC60HT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 開關(guān)能量:20μJ（開），68μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:13.6nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD6NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 開關(guān)能量:20μJ（開），68μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:13.6nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:21ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD6NC60H-1 功能描述:IGBT N-CH 600V 7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:62.5W 開關(guān)能量:20μJ（開），68μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:13.6nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251）標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STGD6M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，6A 功率 - 最大值:88W 開關(guān)能量:36μJ（開），200μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:21.2nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/90ns 測試條件:400V，6A，22 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:140ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGE50NC60VD STGE50NC60WD STGF10H60DF STGF10M65DF2 STGF10NB60SD STGF10NC60HD STGF10NC60KD STGF10NC60SD STGF12NB60KD STGF14N60D STGF14NC60KD STGF15H60DF STGF15M65DF2 STGF17NC60SD STGF19NC60HD STGF19NC60KD STGF19NC60WD STGF20H60DF