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STGP7NB60F

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  • 廠商
  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • STGP7NB60F
    STGP7NB60F

    STGP7NB60F

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • 原廠原裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • STGP7NB60F
    STGP7NB60F

    STGP7NB60F

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • IGBT管

  • 標準封裝

  • 13+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • STGP7NB60F
    STGP7NB60F

    STGP7NB60F

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • IGBT

  • 標準封裝

  • 13+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全稱
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT
STGP7NB60F 技術(shù)參數(shù)
  • STGP7H60DF 功能描述:IGBT 600V 14A 88W TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):28A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，7A 功率 - 最大值:88W 開關(guān)能量:99μJ（開），100μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:46nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:30ns/160ns 測試條件:400V，7A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:136ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STGP6NC60HD 功能描述:IGBT 600V 15A 56W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 開關(guān)能量:20μJ（開），68μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:13.6nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:21ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STGP6M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Through Hole TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，6A 功率 - 最大值:88W 開關(guān)能量:40μJ（開），136μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:21.2nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:12ns/86ns 測試條件:400V，6A，22 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:140ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:2,000 STGP5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:88W 開關(guān)能量:56μJ（開），78.5μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:43nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:30ns/140ns 測試條件:400V，5A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:134.5ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STGP4M65DF2 功能描述:IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS 制造商:stmicroelectronics 系列:M 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 開關(guān)能量:40μJ（開），136μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:15.2nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:12ns/86ns 測試條件:400V，4A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:133ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 ST-GTC-16P1-3500 ST-GTC-16P2-3500 ST-GTC-16P3-3500 ST-GTC-16S1-100-(A572) ST-GTC-16S1-3500 ST-GTC-16S2-100-(A572) ST-GTC-16S2-3500 STGW10M65DF2 STGW15H120DF2 STGW15H120F2 STGW15M120DF3 STGW15S120DF3 STGW19NC60H STGW19NC60HD STGW19NC60W STGW19NC60WD STGW20H60DF STGW20H65FB
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