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STGP7NB60FD

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  • 說明
  • 操作
  • STGP7NB60FD
    STGP7NB60FD

    STGP7NB60FD

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • 原廠原裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • STGP7NB60FD
    STGP7NB60FD

    STGP7NB60FD

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • ST

  • TO-220

  • 05+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • STGP7NB60FD
    STGP7NB60FD

    STGP7NB60FD

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • ST

  • TO-220

  • 05+

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  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全稱
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT
STGP7NB60FD 技術(shù)參數(shù)
  • STGP7H60DF 功能描述:IGBT 600V 14A 88W TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):28A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.95V @ 15V,7A 功率 - 最大值:88W 開關(guān)能量:99μJ(開),100μJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:46nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:30ns/160ns 測試條件:400V,7A,47 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):136ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STGP6NC60HD 功能描述:IGBT 600V 15A 56W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,3A 功率 - 最大值:56W 開關(guān)能量:20μJ(開),68μJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:13.6nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:12ns/76ns 測試條件:390V,3A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):21ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STGP6M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Through Hole TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):12A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2V @ 15V,6A 功率 - 最大值:88W 開關(guān)能量:40μJ(開),136μJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:21.2nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:12ns/86ns 測試條件:400V,6A,22 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):140ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標準包裝:2,000 STGP5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.95V @ 15V,5A 功率 - 最大值:88W 開關(guān)能量:56μJ(開),78.5μJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:43nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:30ns/140ns 測試條件:400V,5A,47 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):134.5ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STGP4M65DF2 功能描述:IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS 制造商:stmicroelectronics 系列:M 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):16A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,4A 功率 - 最大值:68W 開關(guān)能量:40μJ(開),136μJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:15.2nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:12ns/86ns 測試條件:400V,4A,47 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):133ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 ST-GTC-16P1-3500 ST-GTC-16P2-3500 ST-GTC-16P3-3500 ST-GTC-16S1-100-(A572) ST-GTC-16S1-3500 ST-GTC-16S2-100-(A572) ST-GTC-16S2-3500 STGW10M65DF2 STGW15H120DF2 STGW15H120F2 STGW15M120DF3 STGW15S120DF3 STGW19NC60H STGW19NC60HD STGW19NC60W STGW19NC60WD STGW20H60DF STGW20H65FB
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