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STGY50NB60HD

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  • 型號
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  • STGY50NB60HD
    STGY50NB60HD

    STGY50NB60HD

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ST

  • TO3P

  • 最新批號

  • -
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  • STGY50NB60HD
    STGY50NB60HD

    STGY50NB60HD

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • 原廠原裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
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  • 功能描述
  • IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 50 Amp
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
STGY50NB60HD 技術(shù)參數(shù)
  • STGY40NC60VD 功能描述:IGBT 600V 80A 260W MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):- 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,40A 功率 - 最大值:260W 開關(guān)能量:330μJ(開),720μJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:214nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:43ns/140ns 測試條件:390V,40A,3.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):44ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 STGWT80V60F 功能描述:IGBT 600V 120A 469W TO-3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):120A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.3V @ 15V,80A 功率 - 最大值:469W 開關(guān)能量:1.8mJ(開),1mJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:448nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:60ns/220ns 測試條件:400V,80A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 STGWT80V60DF 功能描述:IGBT 600V 120A 469W TO-3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):120A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.3V @ 15V,80A 功率 - 最大值:469W 開關(guān)能量:1.8mJ(開),1mJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:448nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:60ns/220ns 測試條件:400V,80A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):60ns 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 STGWT80H65FB 功能描述:IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):120A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2V @ 15V,80A 功率 - 最大值:469W 開關(guān)能量:2.1mJ(開),1.5mJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:414nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:84ns/280ns 測試條件:400V,80A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 STGWT80H65DFB 功能描述:IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):120A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2V @ 15V,80A 功率 - 最大值:469W 開關(guān)能量:2.1mJ(開),1.5mJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:414nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:84ns/280ns 測試條件:400V,80A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):85ns 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 STH130N8F7-2 STH-14 STH140N6F7-2 STH140N6F7-6 STH140N8F7-2 STH145N8F7-2AG STH150N10F7-2 STH15NB50FI STH160N4LF6-2 STH170N8F7-2 STH175N4F6-2AG STH175N4F6-6AG STH-18 STH180N10F3-2 STH180N10F3-6 STH180N4F6-2 STH185N10F3-2 STH185N10F3-6
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